台灣團隊突破二維半導體介面瓶頸　成果登國際頂尖期刊

（中央社記者趙敏雅台北6日電）在國科會計畫支持下，台灣團隊針對二維半導體長期以來面臨的「介面問題」提出解決方案，成功開發出高效能的單層二硫化鉬（MoS2）頂閘極電晶體，這項突破性成果登上國際頂尖期刊「自然電子」（Nature Electronics）。